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募资15亿!华灿投资mini/micro led、GaN功率器件等

o led、GaN功率器件等项

  https://www.alighting.cn/news/20200403/167601.htm2020/4/3 16:54:01

基于不同基板1w硅衬底蓝光led老化性能研究

近几年来,硅衬底GaN基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点,在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。

  https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55

晶能光电硅衬底GaN基大功率led芯片荣获 “阿拉丁神灯奖”

在刚刚落幕的第19届广州国际照明展览会上,晶能光电硅衬底GaN基大功率led芯片荣膺“阿拉丁神灯奖”十大产品奖,是目前为止国内唯一获奖的led芯片产品。

  https://www.alighting.cn/news/2014620/n298263171.htm2014/6/20 13:58:42

日厂住友电工首创绿色雷射用2寸GaN基板量产技术

色雷射、尺寸达2寸,位错密度达10的5次方的半极性及非极性氮化镓(GaN)基

  https://www.alighting.cn/news/20101125/116903.htm2010/11/25 9:32:04

晶元购多台aixtron mocvd设备提高GaN led产量

单中包括aixtron的王牌产品-用于批量生产GaN led的crius ccs反应室和aix 2800g4 ht反应室系统,待明年这些设备安装完毕后,晶元的led产能将大大提

  https://www.alighting.cn/news/20071024/120418.htm2007/10/24 0:00:00

孙钱:硅衬底GaN基高效led的最新进展

发副总裁孙钱博士以《硅衬底GaN基高效led的最新进展》为主题,作了精彩分

  https://www.alighting.cn/news/20150610/130039.htm2015/6/10 13:37:30

蓝紫光inGaN多量子阱激光器

在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了inGaN长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导GaN激光器,激光器的腔面为ga

  https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06

led蓝宝石基板与芯片背部减薄制程

目前在led制程中,蓝宝石基板虽然受到来自si与GaN基板的挑战,但是考虑到成本与良率,蓝宝石在近两年内仍然具有优势,可以预见接下来蓝宝石基板的发展方向是大尺寸与图案化(ps

  https://www.alighting.cn/resource/20130816/125399.htm2013/8/16 11:56:41

激光剥离GaN/al_2o_3材料温度分布的解析分析

分析了脉冲激光作用下GaN的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN/al2o3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,

  https://www.alighting.cn/resource/20130527/125565.htm2013/5/27 10:24:56

led衬底|基板(substrate)

通俗来讲,led和半导体激光器等的发光部分的半导体层,是在基板上生长结晶而成。采用的基板根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色 led等GaN类半导体材

  https://www.alighting.cn/resource/20130128/126108.htm2013/1/28 9:55:40

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