站内搜索
用GaN材料的蓝色led上组合使用tag（鋱、铝、石榴石）是萤光材料开发而成的白光led，应用在背光源以及紧急照明
https://www.alighting.cn/news/20101224/104527.htm2010/12/24 11:43:14
采用x光双晶衍射仪分析了GaN基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成GaN-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的GaN-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
使用熔融的koh在高温下对c面蓝宝石衬底进行不同时间的腐蚀,借助扫描电镜、原子力显微镜对衬底表面进行了表征,然后利用金属有机物化学气相沉积设备在不同腐蚀时间的衬底样品上进行了ga
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127401.htm2011/7/22 15:10:39
光粉的白光发光二极管研究》的报告，通过例举学术界的多项研究，向与会者们深入浅出地详述了“GaN同质外延和竖直结构大功率led”的理论、技术与优势等相关各个方面的介
https://www.alighting.cn/news/20110611/109094.htm2011/6/11 14:38:05
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
蓝宝石衬底虽然受到来自si与GaN衬底的挑战，但是考虑到成本与良率，蓝宝石在近两年内仍然具有优势，可以预见接下来蓝宝石衬底的发展方向是大尺寸与图案化(pss)。由于蓝宝石硬度仅次
https://www.alighting.cn/resource/20121018/126325.htm2012/10/18 10:48:12
％。 2010年GaN mocvd的出货量 2010年第四季度，中国mocvd的采购量增加了一倍，数量比例从31％至64％，而韩国所占的数量比例从27％下降到只有5
http://blog.alighting.cn/李高/archive/2011/7/11/229448.html2011/7/11 21:43:00
根据美国商业资讯报导，极特先进科技公司(gt advanced technologies)(nasdaq:gtat)与soitec(nyse euronext:soi)宣布一项开发
https://www.alighting.cn/news/20130320/112560.htm2013/3/20 11:28:14
利用mocvd系统在al2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有关
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
通过反射高能电子衍射仪(rheed)分析蓝宝石衬底在经过双热电偶校温的ecr-pemocvd 装置中清洗氮化实验表面晶质的rheed图像,研究了常规清洗和ecr等离子体所产生的活性
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127392.htm2011/7/26 18:57:31
