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2007年11月27日，qinetiq向aixtron订购一台 6x2英寸ccs mocvd设备用于开发高性能应用的GaN器件，新mocvd设备将安装于qineti在英
https://www.alighting.cn/news/20071128/117968.htm2007/11/28 0:00:00
近日，世界级mocvd厂商-veeco宣布：其引进的turbodisc ? maxbright?氮化镓(GaN)有机金属化学气相沉积法(mocvd)多反应器系统，用于生
https://www.alighting.cn/pingce/20110210/123082.htm2011/2/10 13:30:04
美国能源部(doe)下属能源转换机构arpa-e已经选定氮化镓对氮化镓(GaN-on-GaN)新成立公司soraa来引领GaN基质研发项目。
https://www.alighting.cn/news/2012810/n169042119.htm2012/8/10 11:43:37
附件为论坛嘉宾的演讲内容《高光效GaN基led芯片技术研究进展》pdf，欢迎大家下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/20160615/141191.htm2016/6/15 14:06:06
三菱化学(mitsubishi chemical)计划藉由采用所谓的“液相法”的制造手法量产使用于照明用白色led的氮化镓(GaN)基板。
https://www.alighting.cn/news/2011915/n658734484.htm2011/9/15 10:16:19
GaN是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结
https://www.alighting.cn/resource/20051216/128915.htm2005/12/16 0:00:00
同传统led相比，GaN同质衬底技术能实现更好的显色性能和白光准确度，并具有每晶元流明优势。
https://www.alighting.cn/resource/20141204/123974.htm2014/12/4 11:26:50
为改善GaN 基发光二极管( light??emitting diode, led) 的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度
https://www.alighting.cn/resource/2012/4/11/101149_25.htm2012/4/11 10:11:49
据日媒报道，日本东北大学与罗姆将zno(氧化锌)类紫外led的发光强度提高到了100μw，为原来产品的1万倍。这一发光强度是inGaN与GaN类紫外led的约110倍。东北大学原
https://www.alighting.cn/news/20110526/100302.htm2011/5/26 9:42:28
上海蓝光日前提出一种新型无掩膜侧向外延技术，可在蓝宝石衬底上生长位错密度更低的GaN薄膜，在蓝宝石衬底表面原位形成高密度的纳米坑，衬底和GaN之间粗糙的界面极大地提高led光提
https://www.alighting.cn/news/20110601/115404.htm2011/6/1 10:13:21
