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采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.利用GaN薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127394.htm2011/7/26 15:17:59
比利时研究中心（imec）推出一项联合开发计划（iiap：industrial affiliation program），目标是降低氮化鎵（GaN）技术成本，采用大直径的硅基氮化
https://www.alighting.cn/news/20090720/104475.htm2009/7/20 0:00:00
日亚化学将于2008年3月份开始试销445nm、1w连续波模式(cw)GaN蓝光激光二极管(ld)设计样品。
https://www.alighting.cn/news/20071122/121377.htm2007/11/22 0:00:00
据rebecca pool报道，kubos半导体公司利用其立方GaN外延技术，打算很快推出大规模制造绿色led的工艺。
https://www.alighting.cn/news/20191128/165369.htm2019/11/28 9:38:13
研究了在分子束外延制备的aln/蓝宝石模板上采用金属有机物化学气相外延生长的非故意掺杂GaN的材料性质.采用x射线衍射(xrd)、透射电镜(tem)和原子力显微镜研究了aln模
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127233.htm2011/8/30 13:29:11
laytec于11月前推出最新的产品pyro 400。传统的红外高温测量法只能监测到蓝宝石或sic晶片下面的基座表面温度,与之不同的是,pyro 400是一种真正能精确测量GaN
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230115.html2011/7/18 23:52:00
与正装led相比,倒装焊芯片技术在功率型led的散热方面具有潜在的优势。对各种正装和倒装焊功率型led芯片的表面温度分布进行了直接测试,对其散热性能进行了分析。研究表明,焊接层的材
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1059.htm2010/1/18 11:25:13
研究结果表明：采用较厚的蓝宝石衬底喝引入ain缓冲层均有利于led光提取效率的提高。
https://www.alighting.cn/resource/20141027/124165.htm2014/10/27 11:29:03
在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸为
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
采用光激励与电激励的方式对algainp与ingan/gan基led的电学特性进行了表征,并重点比较分析了两种激励方式的下理想因子这一重要参数的差异。探讨了影响led理想因子的因素
https://www.alighting.cn/2013/4/15 10:33:09
