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GaN组件和amo技术实现更高效率与宽带

透过提高效率来减少功耗具有多项优势,首先,最明显的好处是降低运营成本;同时,更少的热意味着更低的设备冷却需求以及更高的可靠性。如果能够减少对于温度升高问题的关注度,那么无线业者在因

  https://www.alighting.cn/2014/7/28 10:33:22

氮化镓(GaN)衬底及其生产技术

用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料,这样可以大大提高外延膜的晶体质量,降低位错密度,提高器件工作寿命,提高发光效率,提高器件工作电流密度。可是,制备氮化镓体单晶材料非

  https://www.alighting.cn/resource/20110211/128058.htm2011/2/11 10:38:56

ngk(日本)开发出GaN衬底的uhb - led

近日,日本公司ngk insulators发布了新的用于电子设备应用的超高亮度(uhb )led,基于液相外延生长技术,超高亮度(uhb )led实现了其创新功能。 据 ngk估计

  https://www.alighting.cn/news/20111214/99660.htm2011/12/14 10:16:15

bluglass获政府500万基金支持

2007年9月11日,澳大利亚bluglass公司(开发低成本制造GaN晶片方法)获得澳大利亚工业局(ausindustry) "commercial ready grant

  https://www.alighting.cn/news/20070916/117228.htm2007/9/16 0:00:00

波兰top GaN公司制作GaN单晶衬底

top GaN是由unipress,隶属于华沙的波兰科学院的高压研究中心发展起来的,组建于2001年。

  https://www.alighting.cn/resource/20040712/128408.htm2004/7/12 0:00:00

GaN材料的特性及其应用

一、前言GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与sic、金刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代ge、si半导

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230091.html2011/7/18 23:39:00

GaN基低色温高显色白光led

采用440nm短波长inGaN/GaN基蓝光led芯片激发高效红、绿荧光粉制得高显色性白光led,研究了不同胶粉配比对klv发光性能的影响。

  https://www.alighting.cn/2015/1/26 14:58:55

si衬底GaN基蓝光led老化性能

为避免因封装不良带来的可靠性问题而影响对老化机理的判断,本样品不灌胶,目的是仅仅研究芯片本身的可靠性。

  https://www.alighting.cn/2014/11/24 10:15:20

中国GaN led生产数量年平均增长大

中国led市场规模2006年达到146亿人民币,1997年至2006年年平均成长率为29%,预期2010年将成长至320亿人民币。

  https://www.alighting.cn/news/20071129/106652.htm2007/11/29 0:00:00

首尔半导体展出利用GaN晶体非极性面的白色led

韩国首尔半导体(seoul semiconductor)开发出了在1mm见方蓝色led芯片上组合荧光材料,实现了光通量为500lm左右的白色。该开发品的特点是比以前的产品更容易提高

  https://www.alighting.cn/pingce/20130123/121934.htm2013/1/23 11:10:35

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