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硅衬底GaN基大功率led芯片荣获 “阿拉丁神灯奖”

在刚刚落幕的第19届广州国际照明展览会上,晶能光电硅衬底GaN基大功率led芯片荣膺“阿拉丁神灯奖”十大产品奖,是目前为止国内唯一获奖的led芯片产品。

  https://www.alighting.cn/news/20140620/110996.htm2014/6/20 13:21:24

华灿光电王江波:高效GaN基led的研究进展

2016阿拉丁照明论坛 “光源器件技术发展与市场化” 技术峰会上,华灿光电股份有限公司副总裁王江波做了主题为“高效GaN基led的研究进展”的精彩演讲。

  https://www.alighting.cn/zhanlan/20160610/141024.htm2016/6/10 16:17:39

GaN基多量子阱蓝色发光二极管实验与理论分析

位较好的符合,表明了在多量子阱发光二极管中由于inn和GaN相分离而形成的富in类量子点结构,主导着inGaN基发光二极管发光波长,体现了inGaN基发光二极管量子点发光的本质。同

  https://www.alighting.cn/resource/2009911/V936.htm2009/9/11 17:27:36

蓝宝石衬底的图形化技术在GaN基led上的应用

针对于目前蓝光led所使用的蓝宝石衬底存在以下两个问题,蓝宝石和GaN存在着17%的晶格不匹配,直接在蓝宝石衬底上生长出来的外延缺陷严重。出光效率低下,大部分光被限制在led芯片

  https://www.alighting.cn/resource/20120314/126667.htm2012/3/14 13:45:14

GaN基倒装焊led芯片的热学特性模拟与分析

采用了有限元方法建立了GaN基倒桩led芯片的三维热学模型,并对其温度分布进行模拟,比较了再不同凸点分布,不同粘结层材料与厚度、不同蓝宝石衬底厚度及蓝宝石图形化下的倒装芯片温度分

  https://www.alighting.cn/resource/20141126/124009.htm2014/11/26 15:05:31

新型通孔硅衬底GaN基led结构的电流扩展分析

为了降低si衬底GaN基led的开启电压及工作电压,本文提出了一种新型通孔结构发光二级管,并提出一种电路有限元模型,分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。

  https://www.alighting.cn/2013/8/20 13:57:10

首尔半导体加入GaN基板阵营,npola性价比高动摇蓝宝石基板地位

唯首尔半导体以封装大厂身份积极加入GaN同质外延阵营,或对市场构成强烈的冲击。首尔半导体长期受制于其外延芯片产能限制,较大部分芯片资源来自集团外部,因此成本不具竞争力,在韩系三巨

  https://www.alighting.cn/news/20120710/113328.htm2012/7/10 10:18:36

2011年GaN led市场仅增长1% 至87亿美金,企业利润不容乐观

经过2010年60% 的高速增长,ims research认为2011年的GaN led市场趋于平缓,仅增长1% 至87亿美金。主要原因有:占据 60% GaN led营收的背

  https://www.alighting.cn/news/20110915/90303.htm2011/9/15 10:59:49

非极性GaN用r面蓝宝石衬底

采用温梯法生长了非极性GaN外延衬底r(012)面蓝宝石,使用化学机械抛光加工衬底表面,对衬底的结晶质量、光学性能和加工质量进行了研究.结果显示r面蓝宝石衬底基本性能参数如下

  https://www.alighting.cn/resource/20110901/127216.htm2011/9/1 14:07:02

iqe收购英国GaN新创企业nanoGaN

对nanoGaN的收购将帮助iqe加快先进的蓝光/绿光半导体激光器和固态照明产品的上市步伐。

  https://www.alighting.cn/news/20091010/116607.htm2009/10/10 0:00:00

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