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发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led 的发展，本文主要介绍了提高GaN 基led 外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射
https://www.alighting.cn/resource/20130531/125543.htm2013/5/31 11:31:30
本工作对比研究了蓝宝石图形衬底(pss)和平面衬底(non-pss)上制备GaN基45mil功率型led芯片的光电特性。相比较平面衬底，在pss衬底上制备的大功率芯片的发光效率提
https://www.alighting.cn/resource/20130305/125961.htm2013/3/5 10:44:44
士发表了《大功率GaN led技术》的专题演
https://www.alighting.cn/news/20110612/109070.htm2011/6/12 17:31:55
近日，三星尖端技术研究所和首尔大学宣布开发出了第一个由非晶玻璃衬底制造的发光二极管。
https://www.alighting.cn/news/20111212/99724.htm2011/12/12 15:30:51
对inGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光led进行了室温900ma电流下的电应力老化，发现蓝光led老化到24小时隧穿电流最小，绿光led到6小时隧穿电流最小。
https://www.alighting.cn/resource/20150228/123557.htm2015/2/28 15:16:34
报道指出，三菱化学目前已着手于水岛事业所内导入大型长晶设备，并在确保拥有月产1,000万片(以2寸基板换算)的产能之后，将追加导入大型长晶设备正式进行量产，之后并计划于2015年度
https://www.alighting.cn/news/20111121/114216.htm2011/11/21 9:08:51
2011年4月1日——上海:ims research最新一季的GaN led供求报告显示2011年对于led供应链来说又是光明的一年。
https://www.alighting.cn/news/20110411/90603.htm2011/4/11 9:47:57
本文为北京大学物理学院北京大学宽禁带半导体研究中心张国义教授6月份在亚洲led照明高峰论坛上面的演讲讲义，现在经张国义教授的同意，发布于新世纪led网平台分享与大家，希望能够对大家
https://www.alighting.cn/resource/20110627/127492.htm2011/6/27 16:26:36
透过提高效率来减少功耗具有多项优势，首先，最明显的好处是降低运营成本;同时，更少的热意味着更低的设备冷却需求以及更高的可靠性。如果能够减少对于温度升高问题的关注度，那么无线业者在因
https://www.alighting.cn/resource/20140915/124307.htm2014/9/15 10:17:12
https://www.alighting.cn/2014/8/28 11:07:01
