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利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了p层厚度即p面金
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
中村修二的团队成功地在新平面上生长出光滑的缺陷较少的薄膜。与此生长技术相关的专利已有12项正在申请。该薄膜生长技术涉及现有的横向外延过生长技术，但具体细节没有被披露。
https://www.alighting.cn/resource/20051106/128461.htm2005/11/6 0:00:00
研究发现不同厚度GaN 薄膜的吸收截止边均在3.38ev 附近，在它们的光致发光(pl)光谱中也观察到了相同位置带边峰。
https://www.alighting.cn/2014/12/15 11:41:03
2005年7月13日：一些专家认为，GaN可以在氧化锌(zno)衬底生长以制作无需荧光粉的白光leds，这种器件有可能获得更大的光输出并改善器件效能。
https://www.alighting.cn/resource/20050930/128446.htm2005/9/30 0:00:00
美国公司soraa于21日宣布将与纽约州合作，在纽约州水牛城建立半导体制造工厂，并聘请数百名工人。新工厂准备用于制造最先进的GaN on GaN led产品，预计将在2015年投
https://www.alighting.cn/news/20131122/111369.htm2013/11/22 10:45:30
虽然GaN leds的发展相当成功，但是使用有机金属化学气相沉积(mocvd)制程却让它们的p型掺杂
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127976.htm2010/7/12 18:09:51
GaN 基材料在光电器件中的应用，得到了越来越多人的关注。由于近来 GaN 基发光二极管的亮度取得了很大的提高，使得 GaN 基发光二极管在很多领域都取得了应用，例如交通信号灯
https://www.alighting.cn/resource/20070119/128948.htm2007/1/19 0:00:00
在分析GaN led量子阱结构对载流子限制和俘获的基础上,考虑量子限制stark效应和franz-keldysh效应,提出了一种基于inGaN有源区的载流子复合及光发射模型.模
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127131.htm2011/9/16 15:14:50
近日，ims reseach 发布了最新《GaNg led季度供需报告》，报告显示，2011年 GaN led封装总产值为80亿美元，同比下降了6%。2016年，GaN led市
https://www.alighting.cn/news/20120329/99682.htm2012/3/29 17:26:59
在有效质量近似和变分原理的基础上,选取含两个变分参数的波函数,研究了纤锌矿结构的gan/alxga1-xn单量子点中类氢施主杂质体系的结合能随量子点(qd)尺寸以及杂质在量子点中位
https://www.alighting.cn/2013/5/24 10:08:12
