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新世纪光电blue inGaN/ GaN led qg38 (38x38) chips规格说明书

  https://www.alighting.cn/2011/11/21 14:47:47

松下展示GaN基板白色led 可提高车前灯设计自由度

  https://www.alighting.cn/news/20141120/n753967319.htm2014/11/20 10:15:23

威宝将公布oled领域新突破与高亮度GaN led灯

威宝最新系列的velve oled灯,这一系列融合了全世界最先进的可调光和色彩调节oled技术。威宝最新的轻型velve组模可以发出高达2000cd/m2的可直视光照——两倍于之前

  https://www.alighting.cn/news/201334/n827249346.htm2013/3/4 11:11:15

GaN 基功率型led芯片散热性能测试与分析

与正装led相比 ,倒装焊芯片技术在功率型led的散热方面具有潜在的优势 。对各种正装和倒装焊功率型led芯片的表面温度分布进行了直接测试 ,对其散热性能进行了分析。

  https://www.alighting.cn/news/20091221/V22251.htm2009/12/21 7:55:36

“10.6%”成为GaN led营收最后的两位数增长数字

得益于照明以及平板电脑和手机的背光需求,2013年全球氮化镓led营收从2012的112亿美元增至124亿美元,增幅为10.6%,但这将是该市场最后一次市场两位数增长,到2014年

  https://www.alighting.cn/news/20140219/98146.htm2014/2/19 9:53:42

日企三菱优先投资白色led,力争2015年独佔GaN底板市场

近日,日本三菱化学召开了经营方针说明会,宣佈今后将优先投资白色led及车载鋰离子充电电池材料两大领域。该公司08年5月便发佈了中期经营计划,但受最近经营环境恶化的影响,此次又推出了

  https://www.alighting.cn/news/20081211/107379.htm2008/12/11 0:00:00

micro led:晶能光电硅衬底GaN基技术的又一重大应用机会

因具有超高解析度,高色彩饱和度,纳秒级响应时间以及低功耗等优点,micro led成为apple、sony、facebook、samsung、lg、osram、nichia等国际大

  https://www.alighting.cn/news/20180823/158156.htm2018/8/23 9:41:53

in组分对inGaNGaN蓝光led的发光性质的影响

目前普遍认为蓝移是in组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因,然而实验发现高in组分没有出现峰位蓝移,产生这一异常现象的原因主要是因为高in组分造成的势起伏较大,在80k~16

  https://www.alighting.cn/2015/3/13 10:02:28

inGaN/GaN多量子阱发光二极管的光谱特性研究

对比el谱,发现pssleds拥有更强的光功率和更窄的半峰宽,说明pssleds具有较高的晶体质量。

  https://www.alighting.cn/resource/20141210/123951.htm2014/12/10 10:10:07

微纳光学在led芯片中应用研究的综述

本文综述了led外延片表面的各种基于微纳光学结构的加工技术,如通过在led芯片表面上加工粗糙微结构、led芯片表面双层微结构、二维光子晶体结构、双光栅结构等。

  https://www.alighting.cn/2014/12/8 9:59:28

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