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GaN 基功率型led芯片散热性能测试与分析

与正装led相比 ,倒装焊芯片技术在功率型led的散热方面具有潜在的优势 。对各种正装和倒装焊功率型led芯片的表面温度分布进行了直接测试 ,对其散热性能进行了分析。

  https://www.alighting.cn/news/20091221/V22251.htm2009/12/21 7:55:36

“10.6%”成为GaN led营收最后的两位数增长数字

得益于照明以及平板电脑和手机的背光需求,2013年全球氮化镓led营收从2012的112亿美元增至124亿美元,增幅为10.6%,但这将是该市场最后一次市场两位数增长,到2014年

  https://www.alighting.cn/news/20140219/98146.htm2014/2/19 9:53:42

日企三菱优先投资白色led,力争2015年独佔GaN底板市场

近日,日本三菱化学召开了经营方针说明会,宣佈今后将优先投资白色led及车载鋰离子充电电池材料两大领域。该公司08年5月便发佈了中期经营计划,但受最近经营环境恶化的影响,此次又推出了

  https://www.alighting.cn/news/20081211/107379.htm2008/12/11 0:00:00

micro led:晶能光电硅衬底GaN基技术的又一重大应用机会

因具有超高解析度,高色彩饱和度,纳秒级响应时间以及低功耗等优点,micro led成为apple、sony、facebook、samsung、lg、osram、nichia等国际大

  https://www.alighting.cn/news/20180823/158156.htm2018/8/23 9:41:53

in组分对inGaNGaN蓝光led的发光性质的影响

目前普遍认为蓝移是in组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因,然而实验发现高in组分没有出现峰位蓝移,产生这一异常现象的原因主要是因为高in组分造成的势起伏较大,在80k~16

  https://www.alighting.cn/2015/3/13 10:02:28

inGaN/GaN多量子阱发光二极管的光谱特性研究

对比el谱,发现pssleds拥有更强的光功率和更窄的半峰宽,说明pssleds具有较高的晶体质量。

  https://www.alighting.cn/resource/20141210/123951.htm2014/12/10 10:10:07

微纳光学在led芯片中应用研究的综述

本文综述了led外延片表面的各种基于微纳光学结构的加工技术,如通过在led芯片表面上加工粗糙微结构、led芯片表面双层微结构、二维光子晶体结构、双光栅结构等。

  https://www.alighting.cn/2014/12/8 9:59:28

大功率led散热问题的探讨

大功率led 得以广泛应用,主要由于其寿命长、体积小、电转化效率以及高色温等特点。但是在led 的推广应用中,高效稳定的散热问题成为了重要阻碍。本文着重对大功率led 的散热问题进

  https://www.alighting.cn/2014/5/13 10:16:07

揭秘如何提高绿光led能效问题

众所周知,绿光led的性能水平达不到同等红光和蓝光led。但可以通过降低电流密度、使用一个更大的芯片以及优化生长条件来减少黑点,能够尽可能缩小在100ma驱动电流条件下,达到190

  https://www.alighting.cn/resource/20140117/124895.htm2014/1/17 16:05:30

led行业2013下半年上游报告

分享一份来自国金证券研究所的《led行业2013下半年上游报告》,欢迎下载附件查看详细内容。

  https://www.alighting.cn/resource/20131104/125156.htm2013/11/4 15:30:50

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