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牺牲ni退火对硅衬底GaN基发光二极管p型接触影响的研究

本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖层之

  https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01

关于联盟组团赴欧参加icns学术会议暨欧洲GaN学术拓展精进之旅的通知

为响应国家推进新材料产业发展,实施制造产业强国战略的号召,国家半导体照明工程研发及产业联盟(csa)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(casa)将联合北京大学于2017年7月20

  https://www.alighting.cn/news/20170413/150127.htm2017/4/13 14:51:26

钻石底碳化硅 led的梦幻基材(上)

碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。

  https://www.alighting.cn/resource/20110714/127427.htm2011/7/14 17:29:12

led外延片:五种衬底材料的综合比较

衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。衬底材料的技术对于led的发展至关重要;本文,简单介绍几种常用的衬底材料,以飨读者;

  https://www.alighting.cn/resource/20101119/128220.htm2010/11/19 11:23:36

(1102)γ面蓝宝石生长的(1120)α面氮化镓研究

采用低温ain作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面GaN,用原子力显微镜和高分辨x射线衍射、光致发

  https://www.alighting.cn/resource/20110831/127220.htm2011/8/31 16:26:57

必易微“第二代”GaN 快充解决方案 kp2208x——细节拉满,闪亮登场

定制 esop-7 封装,接近 sop-8 的成本、媲美 dfn5×6 的散热能力

  https://www.alighting.cn/news/20230814/174880.htm2023/8/14 11:46:10

美厂iqe收购英国nanoGaN公司

近日,美国iqe公司宣布收购英国一家专门研制GaN技术的nanoGaN公司。

  https://www.alighting.cn/news/20091012/106929.htm2009/10/12 0:00:00

钻石底碳化硅 led的梦幻基材(下)

碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。

  https://www.alighting.cn/resource/20110714/127426.htm2011/7/14 17:32:28

(1102)γ面蓝宝石生长的(1120)α面氮化镓研究

采用低温ain作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面GaN,用原子力显微镜和高分辨x射线衍射、光致发

  https://www.alighting.cn/resource/20110817/127304.htm2011/8/17 11:37:33

蓝光led之商机与应用(图)

短短数年内,台湾已成为全球以氮化镓(GaN)为主要制造材料的蓝光二极管(led)制造大本营。GaN不过才发明10年,现在已成为ssl(solid-state lighting)建

  https://www.alighting.cn/news/2007210/V3148.htm2007/2/10 16:38:31

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