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GaN和sic对功率电子市场来说还不成熟。前者要求在制造工艺上做技术改进，特别是外延厚度;而后者，目前是一种昂贵的材料，不适合在消费类市场使用。更先进的sic和GaN,中国是完
https://www.alighting.cn/news/201396/n370855917.htm2013/9/6 10:42:55
本文采用热h3po4湿法腐蚀方法对GaN表面进行粗化处理，比较了不同腐蚀条件对表面形貌的影响，并对最终器件光电性能进行测量，分析结果显示经过粗化的GaN基led芯片，亮度增加可
https://www.alighting.cn/news/2007523/V12569.htm2007/5/23 10:46:10
据ibm的研究人员发现石墨烯材料能大幅降低采用氮化镓(GaN)制造的蓝光led成本。跟昂贵的sic或蓝宝石晶圆片、且只能单次使用以长出GaN薄膜的传统方式相比，这种新方法的成本效
https://www.alighting.cn/news/20141202/86567.htm2014/12/2 9:37:18
中山大学光电材料国家重点实验室的研究人员采用四层硅delta掺杂的GaN作为n型覆层，显著提高了氮化物led的抗静电能力，这个改善是因为外延GaN材料晶体质量的改善和器件电流扩
https://www.alighting.cn/news/20111018/99947.htm2011/10/18 16:08:46
据报道，美国公司soraa计划在纽约锡拉丘兹开设一家半导体制造工厂。该公司将与纽约州达成合作，共同新建一家先进的氮化镓基板(GaN on GaN)led制造工厂。据悉，新工厂将雇
https://www.alighting.cn/news/20151102/133806.htm2015/11/2 10:00:54
1993年世界上第一只GaN基蓝色led问世以来，led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基led均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
对半导体照明有较系统的研究，研究内容主要包括GaN材料的mocvd外延生长技术，白光大功率led封装技术，led可靠性研究。另外还对led的光学配光设计有较丰富的经验。
http://blog.alighting.cn/YulunXian/2008/10/20 15:55:24
以GaN基蓝光led芯片为基础光源制备了大功率蓝光led,并通过荧光粉转换的方法制备了白光led。对大功率蓝光和白光led进行了寿命试验,并对其失效机理进行了分析。
https://www.alighting.cn/resource/2007928/V12818.htm2007/9/28 14:34:30
江风益教授研究团队的“硅衬底高效GaN基蓝色发光二极管”项目荣获2015年度全国唯一一项国家技术发明一等奖，实现了江西省在该项奖励“零”的突破。
https://www.alighting.cn/pingce/20170224/148437.htm2017/2/24 9:50:09
该项目的目的是发展无磷led的结构与增加亮度(每面每角发射功率)，如果成功，将避免使用荧光粉转换，以及减少GaN led pump的不同老化率功率损失。
https://www.alighting.cn/news/201335/n600249395.htm2013/3/5 9:34:33
