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高亮度led制程发展趋势和高效率化技术

随著led性能持续地提高,应用市场也随之急速扩大,隐藏在背后的原因是使用GaN、allngap发光材料的高辉度led

  https://www.alighting.cn/news/2007419/V12506.htm2007/4/19 14:00:24

mocvd激增引发led产业风险 硬件设备待突破

目前,由于GaN基led的质量和价格的原因,还只能是在特种照明上起作用。努力提高质量和降低价格,使之尽快进入普通照明,是一个最重要的任务。

  https://www.alighting.cn/news/20100915/91840.htm2010/9/15 10:12:12

南韩白光led 照明产业巡礼

随着白光led 照明应用市场的兴起,多家厂商从2000年开始投入GaN led 磊芯片产业,至目前为止已达10 家厂商之多。

  https://www.alighting.cn/news/20071015/92291.htm2007/10/15 0:00:00

【led照明第二幕】(二)绿色led取得突破,利用si基板大幅削减成本

GaN on si并不是新技术。该技术虽然备受期待,但直到最近才开始推进实用化,这是因为一直未能解决技术课题……

  https://www.alighting.cn/news/20140630/97440.htm2014/6/30 14:09:34

晶电再次订购aixtron ag 多台mocvd

近日,mocvd设备大厂aixtron ag又宣佈佈获台湾led上游大厂晶元光电(epistar)多台mocvd订单,用于量产GaN led。

  https://www.alighting.cn/news/20071026/106944.htm2007/10/26 0:00:00

打破日、美技术垄断 “硅衬底”受热捧事出有因?

近日记者获悉,2015年度国家科学技术发明一等奖有望花落“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目。

  https://www.alighting.cn/news/20151229/135757.htm2015/12/29 9:39:53

攀时日本展出可替换led蓝宝石基板的钼(mo)基板及钼铜(mocu)基板

业内人士介绍:替换基板的led芯片制造工艺是,先在蓝宝石基板上使GaN系半导体结晶外延生长,然后将mo基板或mocu基板粘贴在GaN系半导体结晶上。随后揭下蓝宝石基板,切割成le

  https://www.alighting.cn/pingce/20110211/123079.htm2011/2/11 13:03:34

湿法表面粗化技术初探(图)

本文采用热h3po4湿法腐蚀方法对GaN表面进行粗化处理,比较了不同腐蚀条件对表面形貌的影响,并对最终器件光电性能进行测量,分析结果显示经过粗化的GaN基led芯片,亮度增加可

  https://www.alighting.cn/resource/2007523/V12569.htm2007/5/23 10:46:10

led光源反射器特征参数对被照面照度的影响

研究了不同能量的电子束辐照对 GaN 基发光二极管(light emitting diode,led)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对 GaN 基 le

  https://www.alighting.cn/resource/20140926/124256.htm2014/9/26 11:56:32

led芯片倒装工艺原理以及发展趋势(下)

正装结构和垂直结构的芯片是GaN与荧光粉和硅胶接触,而倒装结构中是蓝宝石(sapphire)与荧光粉和硅胶接触。GaN的折射率约为2.4,蓝宝石折射率为1.8,荧光粉折射率为1.

  https://www.alighting.cn/resource/20140804/124386.htm2014/8/4 10:12:48

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