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近日，美国iqe公司宣布收购英国一家专门研制GaN技术的nanoGaN公司。
https://www.alighting.cn/news/20091012/106929.htm2009/10/12 0:00:00
碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127426.htm2011/7/14 17:32:28
采用低温ain作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面GaN,用原子力显微镜和高分辨x射线衍射、光致发
https://www.alighting.cn/resource/20110817/127304.htm2011/8/17 11:37:33
短短数年内，台湾已成为全球以氮化镓（GaN）为主要制造材料的蓝光二极管（led）制造大本营。GaN不过才发明10年，现在已成为ssl（solid-state lighting）建
https://www.alighting.cn/news/2007210/V3148.htm2007/2/10 16:38:31
在新基板技术中，有望大幅降低制造成本的，是在si基板上生长GaN晶体的“GaN on si”技术。该技术最近突然开始受到关注。
https://www.alighting.cn/news/20140627/87361.htm2014/6/27 9:44:04
目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基led专利技术，美国cree公司垄断了sic衬底上GaN基led专利技术。因此，研发其他衬底上的GaN基led生产技术成为国际上的一个热
https://www.alighting.cn/resource/20100701/129051.htm2010/7/1 0:00:00
GaN基材料在光电器件中的应用，得到了越来越多人的关注。由于近来GaN基发光二极管的亮度取得了很大的提高，使得GaN基发光二极管在很多领域都取得了应用，例如交通信号灯、移动电话背
https://www.alighting.cn/resource/2007126/V13057.htm2007/12/6 11:13:46
采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.利用GaN薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127402.htm2011/7/22 14:38:53
GaN 基材料在光电器件中的应用，得到了越来越多人的关注。由于近来 GaN 基发光二极管的亮度取得了很大的提高，使得 GaN 基发光二极管在很多领域都取得了应用，例如交通信号灯
https://www.alighting.cn/news/2007126/V13057.htm2007/12/6 11:13:46
本文的主要研究内容涉及图形化衬底对GaN基led发光二极管光电性能的影响。实验中制作了表面图形直径和周期不同的GaN图形衬底。再利用mocvd材料生长设备侧向外延生长了GaN
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30
