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绿色led取得突破,利用si基板大幅削减成本

在新基板技术中,有望大幅降低制造成本的,是在si基板上生长GaN晶体的“GaN on si”技术。该技术最近突然开始受到关注。

  https://www.alighting.cn/news/20140627/87361.htm2014/6/27 9:44:04

硅衬底led芯片主要制造工艺

目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基led专利技术,美国cree公司垄断了sic衬底上GaN基led专利技术。因此,研发其他衬底上的GaN基led生产技术成为国际上的一个热

  https://www.alighting.cn/resource/20100701/129051.htm2010/7/1 0:00:00

通过表面粗化提高发光二极管的出光效率(图)

GaN基材料在光电器件中的应用,得到了越来越多人的关注。由于近来GaN基发光二极管的亮度取得了很大的提高,使得GaN基发光二极管在很多领域都取得了应用,例如交通信号灯、移动电话背

  https://www.alighting.cn/resource/2007126/V13057.htm2007/12/6 11:13:46

蓝宝石表面处理对氮化镓光学性质的影响

采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.利用GaN薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射

  https://www.alighting.cn/resource/20110722/127402.htm2011/7/22 14:38:53

通过表面粗化提高发光二极管的出光效率(图)

GaN 基材料在光电器件中的应用,得到了越来越多人的关注。由于近来 GaN 基发光二极管的亮度取得了很大的提高,使得 GaN 基发光二极管在很多领域都取得了应用,例如交通信号灯

  https://www.alighting.cn/news/2007126/V13057.htm2007/12/6 11:13:46

图形化衬底led芯片的技术研究

本文的主要研究内容涉及图形化衬底对GaN基led发光二极管光电性能的影响。实验中制作了表面图形直径和周期不同的GaN图形衬底。再利用mocvd材料生长设备侧向外延生长了GaN

  https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30

led蓝宝石基板

蓝宝石(al2o3,英文名为sapphire)为製成氮化镓(GaN)磊晶发光层的主要基板材质,GaN可用来製作超高亮度蓝光、绿光、蓝绿光、白光led。1993年日亚化(nichi

  https://www.alighting.cn/resource/20111201/126834.htm2011/12/1 10:34:22

全息技术制作二维光子晶体蓝宝石衬底提高发光二极管外量子效率

为了提高GaN基发光二极管(led)的外量子效率,在蓝宝石衬底制作了二维光子晶体.衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息技术和感应耦合等离子体(icp)干法刻蚀技术制作,然后采用金

  https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05

高亮度led制程发展趋势和高效率化技术

随著led性能持续地提高,应用市场也随之急速扩大,隐藏在背后的原因是使用GaN、allngap发光材料的高辉度led

  https://www.alighting.cn/resource/2007419/V12506.htm2007/4/19 14:00:24

高亮度led照明领域上的发展趋势(图)

随著led性能持续地提高,应用市场也随之急速扩大,隐藏在背后的原因是使用GaN、allngap发光材料的高辉度led。

  https://www.alighting.cn/resource/20071211/V13119.htm2007/12/11 9:22:20

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