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我国led产业上游环节发展提速

led外延作为led产业链的核心环节,从2009年开始,在中国下游应用市场高速发展的带动下,中国GaN mocvd数量开始爆发性增长,使得中国led外延产业得到快速发展。

  https://www.alighting.cn/news/20111117/n550635801.htm2011/11/17 10:35:44

大功率发光二极管寿命试验分析(图)

GaN基蓝光led芯片为基础光源制备了大功率蓝光led,并通过荧光粉转换的方法制备了白光led。对大功率蓝光和白光led进行了寿命试验,并对其失效机理进行了分析。

  https://www.alighting.cn/news/2007928/V12818.htm2007/9/28 14:34:30

激光照明将取代led照明?中村修二如是说

中村说他“在基于GaN的蓝色led领域是新人”,但他获得的成果已赶上并超越了赤崎与天野的研究小组率先得出的各种数据。其原动力就是“双流mocvd”。

  https://www.alighting.cn/news/20141211/86649.htm2014/12/11 9:48:23

解读半导体照明材料与芯片应用现状

上世纪末,半导体照明开始出现并快速发展,其中一个核心前提是蓝光GaN基发光材料的生长和器件结构的制备,而未来材料和器件结构技术的水平也终将决定半导体照明技术的高度。

  https://www.alighting.cn/news/20140605/86888.htm2014/6/5 9:13:57

中村修二就蓝光led亮度提出解决方案

2006年9月5日,《nature materials》杂志十月刊中的一篇文章(由中村修二(shuji nakamura)合著)将介绍GaN基蓝光led的亮度比一些被看好的材料所

  https://www.alighting.cn/news/20060906/102776.htm2006/9/6 0:00:00

英国政府启动novelels计划

2007年7月26日,英国商业、企业和改革部(dberr)已发起名为 novelels的计划,致力于开发新型GaN芯片技术,将固态led光源商业化。

  https://www.alighting.cn/news/20070727/104006.htm2007/7/27 0:00:00

ucsb:俄歇复合为led效率下降的主要原因

美国加州大学圣塔芭芭拉分校 (ucsb)的研究团队宣称通过第一原理计算发现,对于以氮化钾(GaN)为主的led,俄歇复合(auger recombination)是其效率下

  https://www.alighting.cn/news/20090615/104758.htm2009/6/15 0:00:00

中村修二教授作为首尔半导体技术顾问

中村修二教授1993年在日本日亚化工(株)就职期间,开发了被认为是20世纪不可能实现的高亮度蓝色led,世界上最早以GaN base成功实现了量产和开发,被称为led行业的爱迪生。

  https://www.alighting.cn/news/20100324/104811.htm2010/3/24 0:00:00

ucsb与三菱化学联合发表蓝光led

在美国拉斯韦加斯举办的氮化物半导体国际学会「icns-7」上,加州大学圣巴巴拉分校(ucsb)与三菱化学联合发表了利用GaN结晶非极性面的蓝色led。

  https://www.alighting.cn/news/20071008/105060.htm2007/10/8 0:00:00

飞利浦lumileds使用veeco mocvd设备

日前,飞利浦lumileds公司已选择美国维易科公司(veeco instruments inc.)的turbodisc? k465? 氮化镓(GaN)金属有机化学气相沉

  https://www.alighting.cn/news/20090826/106482.htm2009/8/26 0:00:00

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