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美国设备大厂veeco instruments inc.日前宣布台厂华上于2010年q2向其订购了数台turbodisc k465i氮化鎵（GaN）与e475砷化磷（as/
https://www.alighting.cn/news/20100720/117794.htm2010/7/20 0:00:00
近年，以氮化镓(GaN)、碳化硅(sic)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料在引发全球瞩目，成为全球半导体研究前沿和热点，中国也不例外地快马加鞭进行部署。
https://www.alighting.cn/news/20160104/135902.htm2016/1/4 10:50:21
2015年度国家科学技术发明一等奖正式揭晓，一直饱受争议的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目摘得了此桂冠。
https://www.alighting.cn/special/20160115/2016/1/14 17:35:22
led磊晶设备大厂veeco宣布台湾led磊晶厂商晶电日前订购数台turbodisc? epik?700 gallium nitride (GaN) mocvd系统，用于led生
https://www.alighting.cn/news/20160815/142845.htm2016/8/15 9:26:58
目前超高亮度白/蓝光led的品质取决于氮化镓磊晶(GaN)的材料品质，而氮化镓磊晶品质则与所使用的蓝宝石基板表面加工品质息息相关，蓝宝石(单晶al2o3 )c面与ⅲ-ⅴ和ⅱ-ⅵ
https://www.alighting.cn/resource/2011/7/1/153840_35.htm2011/7/1 15:38:40
pss最近受到热捧，pps的衬底可以有效减少GaN外延材料的位元错密度，从而减小有源区的非辐射复合，提升内量子效率，减小反向漏电流，提高led的寿命;另一方面有源区发出的光，
https://www.alighting.cn/resource/20130117/126148.htm2013/1/17 20:11:08
https://www.alighting.cn/2011/9/28 15:01:17
ux:3在led芯片内部设置了向芯片表面内扩展的n型接触层。从该n型接触层起，通过数十个通孔(芯片尺寸为1mm见方时)，向芯片表面上的n型GaN类半导层进行电气连接。这样一来，便
https://www.alighting.cn/resource/20101013/128355.htm2010/10/13 0:00:00
而本届诺贝尔物理学奖的核心是，开发出了蓝色led使用的氮化镓(GaN)晶体的制作技术。虽然该技术开发出来后对社会的影响极大，但不能说因为可以制作出这种晶体，物理学方面的理论研究就
https://www.alighting.cn/news/20141015/86800.htm2014/10/15 11:35:22
体公司研发GaN衬底的led同质外延技术，美国普瑞光电公司、欧司朗osram、韩国三星、日本东芝等众多公司在开发矽衬底GaN基led技
https://www.alighting.cn/news/20121128/89354.htm2012/11/28 14:08:33
