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报道指出，三菱化学目前已着手于水岛事业所内导入大型长晶设备，并在确保拥有月产1,000万片(以2寸基板换算)的产能之后，将追加导入大型长晶设备正式进行量产，之后并计划于2015年度
https://www.alighting.cn/news/20111121/114216.htm2011/11/21 9:08:51
led外延作为led产业链的核心环节，从2009年开始，在中国下游应用市场高速发展的带动下，中国GaN mocvd数量开始爆发性增长，使得中国led外延产业得到快速发展。
https://www.alighting.cn/news/20111117/n550635801.htm2011/11/17 10:35:44
当然GaN与si 衬底之间存在热失配、晶格失配等问题，很容易出现龟裂现象，要在硅衬底上生长高质量的氮化镓基led确实是一个严峻的挑战。在这方面处于世界前列的晶能光电认为，硅衬
https://www.alighting.cn/news/20111117/90028.htm2011/11/17 10:11:23
按照led上游材料制备所用的衬底划分，目前已实现产业化的有三种技术路线，即蓝宝石衬底半导体照明、碳化硅衬底半导体照明和硅衬底半导体照明。而硅衬底上GaN基led专利技术为我国拥
https://www.alighting.cn/news/20111114/n580235699.htm2011/11/14 9:49:03
握led 器件的温升规律便成为了提高设备工作可靠性和芯片结构设计的关键所在。本文通过标准电学法对不同颜色的1w 功率led 及不同功率的GaN 基白光led 的结温和热阻进行了测
https://www.alighting.cn/resource/2011/11/3/15724_14.htm2011/11/3 15:07:24
硅上氮化镓(GaN)led的优点是不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这
https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19
导读： 效率下降是阻碍GaN基led在高电流密度这一重要的新兴应用领域大施拳脚的主要原因。但rpi的研究人员表示，通过采用极性匹配的外延结构可以克服这一缺
https://www.alighting.cn/resource/2011/11/1/10522_44.htm2011/11/1 10:52:02
调查显示，nichia、cree、lumileds、osram、toyoda gosei、toshiba和rohm等占据了绝大多数市场份额的大公司拥有着该领域80%~90%的原创性
https://www.alighting.cn/news/20111026/89838.htm2011/10/26 8:55:29
到目前为止，白光led还只能够使用在相当小的范围。因为像5mm的小型白光led，无法像电灯泡或者萤光灯那样，只用一个就能得到使用环境所需的光量。因此如果希望led能够跨足到建筑照明
https://www.alighting.cn/news/20111026/89839.htm2011/10/26 8:49:36
利用射频磁控溅射法在si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射ga_2o_3薄膜,然后zno/ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成GaN薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29
