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报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的GaNmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的GaN薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
首次报道si衬底GaN led的理想因子。通过GaN ledi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时s
https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29
绍了GaN基白光led应用在室内照明领域的发展趋势,从视觉指标、光学参数、封装技术、价格等方面出发,指出了白光led在日常照明普及过程中的一些主要问题,并对这些问题做了详细的分析与探
https://www.alighting.cn/2011/10/24 13:56:27
本文讲述大功率外延片芯片在设计过程中所应该着重注意的几点，对上游工程师和结构设计的工作人员有比较好的借鉴作用，推荐阅读；
https://www.alighting.cn/resource/20111021/126981.htm2011/10/21 12:51:24
scpm公司正在将GaN基板作为可实现高效率led芯片的革新材料而推进开发。并进一步设想在无线通信用半导体元件及智能电网等用功率半导体元件等领域应用GaN基板。
https://www.alighting.cn/news/20111021/115140.htm2011/10/21 10:31:09
宽带隙的GaN作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。p型GaN的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率GaN基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:36:53
中山大学光电材料国家重点实验室的研究人员采用四层硅delta掺杂的GaN作为n型覆层，显著提高了氮化物led的抗静电能力，这个改善是因为外延GaN材料晶体质量的改善和器件电流扩
https://www.alighting.cn/news/20111018/99947.htm2011/10/18 16:08:46
利用mocvd系统在al2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有关
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
三星高级技术研究所(samsung advanced institute of technology)已经成功地利用无定形玻璃基材制造出单晶氮化镓(GaN)，这是一个重要的里程碑
https://www.alighting.cn/news/20111011/114471.htm2011/10/11 9:58:44
