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采用低温ain作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面GaN,用原子力显微镜和高分辨x射线衍射、光致发
https://www.alighting.cn/resource/20110817/127304.htm2011/8/17 11:37:33
ims research 6月发布的上一季度报告中，由于今年上半年供应过剩增加，lcd和led面板增长缓慢以及照明市场成本没有竞争力使得2011年上半年asp降低，GaN le
https://www.alighting.cn/news/20110816/90334.htm2011/8/16 10:35:28
利用低压金属有机物化学气相沉积方法在al2 o3 /si( 0 0 1 )衬底上制备出了六方结构的GaN单晶薄膜 .厚度为 1 .1 μm的GaN薄膜的 ( 0 0 0 2 )
https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24
translucent称其vGaN产线是世界上第一条可盈利的可扩展reo基GaN衬底“iii-n半导体”的生产源。透明reo层的应用使得其产品在应力消除、晶体生长面平整度方面表
https://www.alighting.cn/news/20110811/115128.htm2011/8/11 10:01:28
大功率led路灯与常规高压钠灯路灯不同的是，大功率led路灯的光源采用低压直流供电、由GaN基功率型蓝光led与黄色荧光粉合成的高效白光二极管，发光二极
https://www.alighting.cn/news/20110810/90405.htm2011/8/10 9:48:59
bridgelux新近募集6000万美元，声明将攻关关键核心技术，如si衬底上GaN外延技术和面板上芯片的空间设计等新封装技术，以继续拓展其在固态照明市场中的地位。
https://www.alighting.cn/news/201189/n698133772.htm2011/8/9 8:49:56
士发表了《大功率GaN led技术》的专题演
https://www.alighting.cn/news/20110808/108974.htm2011/8/8 19:57:21
https://www.alighting.cn/news/20110808/115930.htm2011/8/8 10:40:54
本文档为台湾新世纪green inGaN/GaN led chipl0(9×11)led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110729/127366.htm2011/7/29 15:08:48
本文档为台湾新世纪green inGaN/GaN led chip e0(8×10)led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110729/127367.htm2011/7/29 14:55:59
