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小功率led 获得广泛的应用。从上世纪九十年代开始,由于led 外延芯片技术上的突破,使超高亮四元系algainp 和GaN 基的led 既能发射可见光波长的光可组合各种颜色和白
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229961.html2011/7/17 23:36:00
膜,这就很难避免晶格匹配这个大问题。一般都是在蓝宝石衬底上先生长氮化物的缓冲层,然后再异质外延inn薄膜,研究显示,GaN缓冲层上生长的inn薄膜比较理想。mbe技术生长可以精确控
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00
且和衬底分离的GaN薄膜有可能成为体单晶GaN芯片的替代品。hvpe的缺点是很难精确控制膜厚,反应气体对设备具有腐蚀性,影响GaN材料纯度的进一步提高。3.选择性外延片生长或侧向外
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
产300亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延片和 芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破GaN材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的中批量生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00
件事情,因为一旦技术获得突破,外延生长成本和器件加工成本将大幅度下降。si片作为GaN材料的衬底有许多优点,如晶体质量高,尺寸大,成本低,易加工,良好的导电性、导热性和热稳定性等。然
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
内的热场分布,将有利于获得均匀分布的组分与厚度,进而提高了外延材料光电性能的一致性。2)lgainn氮化物半导体是制备白光led的基石,GaN基led外延片和芯片技术,是白光le
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破GaN材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的中批量生产。据预
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00
汽相晶圆(hvpe)技术采用这种技术可以快速生长出低位错密度的厚膜,可以用做采用其它方法进行同质晶圆生长的衬底。并且和衬底分离的GaN薄膜有可能成为体单晶GaN芯片的替代品。hvp
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
期的技术突破实现了第一个基于GaN的实用led。现在还有许多公司在用不同的基底如蓝宝石和sic生产GaNled,这些led能够发出绿光、蓝光或紫罗兰等颜色。高亮蓝色led的发明使真
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229925.html2011/7/17 23:19:00
．材料制备的难易程度及成本的高低：考虑到产业化发展的需要,衬底材料的制备要求简洁,成本不宜很高。衬底尺寸一般不小于2英寸。当前用于GaN基led的衬底材料比较多,但是能用于商品化的
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