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led芯片的湿法表面粗化技术主要阐述经过粗化的GaN基led芯片，亮度增加可达24%以上。采用湿法腐蚀方法对GaN材料表面进行处理，对其表面形貌进行分析同时将其制作成芯片，对其光
https://www.alighting.cn/resource/20110712/127432.htm2011/7/12 17:59:48
％。 2010年GaN mocvd的出货量 2010年第四季度，中国mocvd的采购量增加了一倍，数量比例从31％至64％，而韩国所占的数量比例从27％下降到只有5
http://blog.alighting.cn/李高/archive/2011/7/11/229448.html2011/7/11 21:43:00
0世纪60年代初，首只镓砷磷(gaasp)红光led诞生，人类开始致力于半导体照明光源技术的实现。 1994年，日本nichia(日亚)化学公司成功开发出GaN基蓝光le
http://blog.alighting.cn/quanlubiaoshi/archive/2011/7/8/229311.html2011/7/8 10:55:00
将GaN芯片和钇铝石榴石（yag）封装在一起做成。GaN芯片发蓝光（λp=465nm，wd=30nm），高温烧结制成的含ce3+的yag荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光射，峰值55
http://blog.alighting.cn/lanyunsz/archive/2011/7/6/228855.html2011/7/6 17:44:00
目前超高亮度白/蓝光led的品质取决于氮化镓磊晶(GaN)的材料品质，而氮化镓磊晶品质则与所使用的蓝宝石基板表面加工品质息息相关，蓝宝石(单晶al2o3 )c面与ⅲ-ⅴ和ⅱ-ⅵ
https://www.alighting.cn/resource/2011/7/1/153840_35.htm2011/7/1 15:38:40
关于“光通量的大小”，计划一个封装实现1000lm以上的光通量。对产品厂商而言，在采用多个白色led的用途方面，具有可减少部件数量、提高产品设计自由度等优点。光通量超过1000lm
https://www.alighting.cn/resource/20110628/127487.htm2011/6/28 13:56:53
白色led的“成本竞争力”、高温下性能不会降低的“温度稳定性”、可用于照明的高“显色指数”、白色led产品间的色调“均匀性”、单位封装可输出的“光通量的大小”。所有这些项目与发光效
https://www.alighting.cn/resource/20110628/127490.htm2011/6/28 10:21:07
为实现200lm/w以上的发光效率，白色led正不断进行改进。不过，白色led所必需具备的特性已经不仅仅是发光效率了。在白色led普及的过程中，温度稳定性及显色指数等能够拉开差异的
https://www.alighting.cn/resource/20110627/127491.htm2011/6/27 19:08:40
本文为北京大学物理学院北京大学宽禁带半导体研究中心张国义教授6月份在亚洲led照明高峰论坛上面的演讲讲义，现在经张国义教授的同意，发布于新世纪led网平台分享与大家，希望能够对大家
https://www.alighting.cn/resource/20110627/127492.htm2011/6/27 16:26:36
以气相外延成长法成长磷砷化镓gaasp材料为主。一般来说，GaN的成长须要很高的温度来打断nh3之n-h的键解，另外一方面由动力学仿真也得知nh3和mogas会进行反应产生没有挥发
http://blog.alighting.cn/sz_nltsmt5188/archive/2011/6/24/226838.html2011/6/24 8:33:00
