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1 引言 自从1991年nichia公司的nakamura等人成功地研制出掺mg的通质结GaN蓝光led，GaN基led得到了迅速的发展。GaN基led以其寿命长、耐冲击、抗
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
摘要：GaN具有禁带宽、热导率高等特点，广泛应用于光电子和微电子器件领域。si衬底GaN基材料及器件的研制将进一步促进GaN基器件与传统器件工艺的集成，因而具有很高的研究价值。介
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
白色发光二极管 利用GaN(氮化镓)系半导体的白色发光二极管，做为新世代固态照明灯源是历经无数的转折，十年前包含产官学研界几乎未曾将半导体白色发光二极管纳入考量，虽然有很
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134096.html2011/2/20 22:19:00
标是达到年产300亿只的能力，实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产，年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯，突破GaN材料的关键技术，实现蓝、绿、白的led的
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00
高光输出量，所以，有逐渐朝向在芯片表面建立texture或photonics结晶的架构。例如德国的osram就是以这样的架构开发出「thin GaN」高亮度led，osram是
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133870.html2011/2/19 23:35:00
到年产300亿只的能力，实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产，年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯，突破GaN材料的关键技术，实现蓝、绿、白的led的中批
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133866.html2011/2/19 23:34:00
国的osram就是以这样的架构开发出“thin GaN”高亮度led。原理是在inGaN层上形成金属膜，之后再剥离蓝宝石，这样，金属膜就会产生映像的效果而获得更多的光线取出，根
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133847.html2011/2/19 23:28:00
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133827.html2011/2/19 23:18:00
其产品的国际领先性标志着新兴行业领域的话语权和未来国际国内市场的占有率。近年来，日本“21世纪光计划”、美国“下一代照明计划”、欧盟“彩虹计划”、韩国“GaN半导体发光计划”等政
http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2011/2/16/133169.html2011/2/16 13:53:00
业内人士介绍：替换基板的led芯片制造工艺是，先在蓝宝石基板上使GaN系半导体结晶外延生长，然后将mo基板或mocu基板粘贴在GaN系半导体结晶上。随后揭下蓝宝石基板，切割成le
https://www.alighting.cn/pingce/20110211/123079.htm2011/2/11 13:03:34
