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合红、绿和蓝三色led发出的光，也可利用蓝光led和黄光荧光粉来实现。两种选择都需要基于GaN的蓝光led，所有不同类型的这种器件都有一个共同的缺点：大部分的光被束缚在有源区内，不
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120518.html2010/12/13 22:51:00
3） ·硅 (si) 碳化硅（sic）[/url] 蓝宝石衬底 通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00
衬底 - 结构设计 - 缓冲层生长 - n型GaN层生长 - 多量子阱发光层生 - p型GaN层生长 - 退火 - 检测（光荧光、x射线） - 外延片 外延片- 设计、加工
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120508.html2010/12/13 22:43:00
安的正向电流，红黄光类led的vf值约为2伏，而GaN基兰绿光类led 器件的vf值通常大于3伏。 反向漏电流ir是指给定的反向电压下流过器件的反向电流值， 这个值的大小十
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120381.html2010/12/13 14:28:00
本文就“GaN材料的特性与应用，GaN是什么？”做了简要的分析概述，以飨读者；
https://www.alighting.cn/resource/20101210/128138.htm2010/12/10 13:45:00
据来自于日本经济新闻方面的消息，三菱化学与蓝光led之父中村修二已成功运用液相沉积法生产出氮化镓(GaN)晶体。
https://www.alighting.cn/news/20101209/116107.htm2010/12/9 9:11:07
据日本经济新闻报导，三菱化学与蓝光led之父中村修二(shuji nakamura)已成功透过液相沉积法生产出氮化镓(GaN)晶体。报导指出，从上述晶体切割出的基板其制造成本仅
https://www.alighting.cn/pingce/20101208/123145.htm2010/12/8 13:40:04
近日，从事GaN外延基板开发及销售等业务的风险企业powdec，公开开发表了利用GaN类半导体的肖特基势垒二极管(sbd)，预估2012年前量产。
https://www.alighting.cn/pingce/20101206/123155.htm2010/12/6 9:26:47
近日，从事GaN外延基板开发及销售等业务的风险企业powdec，公开开发表了利用GaN类半导体的肖特基势垒二极管（sbd），预估2012年前量产。
https://www.alighting.cn/news/20101203/106822.htm2010/12/3 0:00:00
对于高亮度led制造业来说，蓝宝石上GaN明显是一种领先的方案;sic上GaN几乎也一样，对眼下基于氮化物的无线/射频产品而言，它是一张中奖彩票。硅上GaN也是用于这几个市场，但
https://www.alighting.cn/resource/20101201/128165.htm2010/12/1 15:21:37
