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1,cree 著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(sic)，氮化镓(GaN),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/10/18/108682.html2010/10/18 15:21:00
鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN（氮化镓）的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led，被称为二元素发光管。而目前最新的工艺是用混合
http://blog.alighting.cn/cookie/archive/2010/10/15/106910.html2010/10/15 15:04:00
色的光源。 1998年发白光的led开发成功。这种led是将GaN芯片和钇铝石榴石（yag）封装在一起做成。GaN芯片发蓝光（λ p =465nm，wd=30nm），高温烧结制成的含c
http://blog.alighting.cn/cookie/archive/2010/10/15/106903.html2010/10/15 14:58:00
aixtron宣布同方订购两套aix2800g4ht42x2英寸mocvd沉积系统，这是在年初下的订单，已在今年q3完成交付。设备用来生产GaN超亮蓝光led的生产。aixtro
https://www.alighting.cn/news/20101014/116574.htm2010/10/14 10:00:35
德国欧司朗光电半导体(osram opto semiconductors gmbh)开发出了新型led结构「ux:3」。该结构不仅能够大幅提高蓝色led等GaN类led的外部量
https://www.alighting.cn/news/20101014/105146.htm2010/10/14 0:00:00
近日，aixtron宣布同方订购两套aix2800g4ht42x2英寸mocvd沉积系统，这是在年初下的订单，已在今年q3完成交付。据了解，设备用来生产GaN超亮蓝光led的生
https://www.alighting.cn/news/20101014/119693.htm2010/10/14 0:00:00
ux:3在led芯片内部设置了向芯片表面内扩展的n型接触层。从该n型接触层起，通过数十个通孔(芯片尺寸为1mm见方时)，向芯片表面上的n型GaN类半导层进行电气连接。这样一来，便
https://www.alighting.cn/resource/20101013/128355.htm2010/10/13 0:00:00
公告称，项目投产后，可形成年产高亮度GaN蓝光外延片72万片、背光芯片46亿颗、照明芯片3.9亿颗的生产规模。公司表示，争取在3至5年时间内，将合资公司建设成为中国电子集团拥有一
https://www.alighting.cn/news/20101011/116776.htm2010/10/11 14:02:29
长城开发近日披露，拟与epistar、亿冠晶、country lighting合作投资建设led芯片外延片及led光模组等产业化项目。 上述合资公司投资总额为1.6亿美元，注册资本
https://www.alighting.cn/news/20101011/119395.htm2010/10/11 0:00:00
三安光电在深圳推出的六款led芯片新产品较2009年产品相比光效呈现近20%的提升，产品稳定性及其他各项技术指标均有明显改善，主要应用于笔记本电脑、液晶显示器、电视等产品显示屏背光
https://www.alighting.cn/news/20100928/120977.htm2010/9/28 0:00:00
