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围绕GaN类蓝色led的相关专利，大型led厂商曾在日本以及海外展开过诉讼。1996年日亚化学工业以丰田合成侵犯了该公司专利为由对后者提起诉讼，为了与之对抗，丰田合成也起诉了日
https://www.alighting.cn/news/20100820/116138.htm2010/8/20 11:14:13
由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，GaN主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128306.htm2010/8/17 17:42:27
led和半导体激光器等的发光部分的半导体层，是在基片上生长结晶而成。采用的基片根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色led等GaN类半导体材料的led芯片，
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128307.htm2010/8/17 17:40:08
利用带隙较宽的层夹住带隙窄且极薄的层形成的构造。带隙较窄的层的电势要比周围(带隙较宽的层)低，因此形成了势阱(量子阱)。在led和半导体激光器中，量子阱构造用于放射光的活性层。
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128308.htm2010/8/17 17:37:46
根据结晶构造的应力而产生的压电极化而发生的电场。是导致以inGaN等GaN类半导体为发光层的蓝色led和绿色led的外部量子效率降低的原因之一。
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128317.htm2010/8/17 15:38:38
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128324.htm2010/8/17 14:21:23
有十分重要的意义。 大功率led路灯与常规高压钠灯路灯不同的是，大功率led 路灯的光源采用低压直流供电、由GaN基功率型蓝光led与黄色荧光粉合成的高效白光二极管，具有高效、安全
https://www.alighting.cn/resource/2010726/V1130.htm2010/7/26 14:10:23
美国设备大厂veeco instruments inc.日前宣布台厂华上于2010年q2向其订购了数台turbodisc k465i氮化鎵（GaN）与e475砷化磷（as/
https://www.alighting.cn/news/20100720/117794.htm2010/7/20 0:00:00
虽然GaN leds的发展相当成功，但是使用有机金属化学气相沉积(mocvd)制程却让它们的p型掺杂
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127976.htm2010/7/12 18:09:51
以GaN为代表的第三代半导体材料是近十几年来国际上倍受重视的新型半导体材料，在白光led、短波长激光器、紫外探测器以及高温大功率器件中具有广泛的应用前景。
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127977.htm2010/7/12 18:02:38
