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veeco推出用于生产高亮度led的GaN mocvd设备turbodisc® k465i™

veeco推出turbodisc? k465i? ,一款用于生产高亮度led(hb led)的氮化镓(GaN) 金属有机化学气相沉淀(mocvd)设备,日前经过led产业

  https://www.alighting.cn/news/20100120/119367.htm2010/1/20 0:00:00

[光源设计]白光led的开发设计

1998年发白光的led开发成功。这种led是将GaN芯片和钇铝石榴石(yag)封装在一起做成。

  https://www.alighting.cn/news/2010119/V22621.htm2010/1/19 9:09:36

功率型led芯片热超声倒装技术

结合功率型GaN基蓝光led芯片的电极分布,在硅载体上电镀制作了金凸点,然后通过热超声倒装焊接技术将led芯片焊接到载体硅片上。结果表明,在合适的热超声参数范围内,焊接后的功率

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1064.htm2010/1/18 14:26:55

GaN基功率型led芯片散热性能的测试与分析

与正装led相比,倒装焊芯片技术在功率型led的散热方面具有潜在的优势。对各种正装和倒装焊功率型led芯片的表面温度分布进行了直接测试,对其散热性能进行了分析。研究表明,焊接层的材

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1059.htm2010/1/18 11:25:13

GaN基led外延材料缺陷对其器件可靠性造成的影响

采用x光双晶衍射仪分析了GaN基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成GaN2led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的GaN2led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1058.htm2010/1/18 11:18:27

半导体照明led---第三代照明革命

度led产品中,GaN基芯片由于产品附加值高,各国(地区)竞相扩大产能。GaN芯片的产能主要集中在台湾和日本,但中国大陆和韩国产能增长迅速,也成为重要的生产区域。   led产业面

  http://blog.alighting.cn/hdking/archive/2010/1/4/24640.html2010/1/4 22:02:00

欧司朗multiled点亮天安门广场显示屏

负责建造该显示墙的天津光电星球显示设备有限公司董事长张广清先生表示“欧司朗的 led 属于市场上最好的 led,这 multiled 产品在色彩和亮度方面均达到了极高的一致性,而且

  https://www.alighting.cn/news/20091222/121078.htm2009/12/22 0:00:00

GaN 基功率型led芯片散热性能测试与分析

与正装led相比 ,倒装焊芯片技术在功率型led的散热方面具有潜在的优势 。对各种正装和倒装焊功率型led芯片的表面温度分布进行了直接测试 ,对其散热性能进行了分析。

  https://www.alighting.cn/news/20091221/V22251.htm2009/12/21 7:55:36

GaN基led外延材料缺陷对其器件可靠性的影响

采用 x 光双晶衍射仪分析了 GaN 基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成 GaN2-led 芯片 , 对分组抽取特定区域芯片封装成的 GaN2led 器件进行可靠性试验 。对

  https://www.alighting.cn/news/20091221/V22250.htm2009/12/21 7:50:32

分析:国内半导体照明现状及投资机会

底的GaN芯片制备;GaN、lialo2、zno、aln等新型衬底的外延和芯片技术;功率型GaN基芯片制造;高效率大功率led封装技术;100lm/w以上功率led封装用有机硅材料;10

  http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21632.html2009/12/15 16:48:00

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