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新一代GaN衬底技术 可大大提升led制造良率

一家由美国加州大学santa barbara分校氮化镓(GaN)实验室所独立的新创公司inlustra,日前宣布开发出一种可扩展的、用于非极性(nonplar)和半极

  https://www.alighting.cn/resource/20090420/128683.htm2009/4/20 0:00:00

八大全球led制造商简介

著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(sic),氮化镓(GaN),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)

  https://www.alighting.cn/news/20090324/117058.htm2009/3/24 0:00:00

led开山鼻祖:警惕led照明闭门造车

led和oled将开创照明领域的未来——蓝色led发明人、目前活跃在GaN发光组件研究第一线的中村修二和oled发明人城户淳二出席了讨论,认为应警惕led照明闭门造车。

  https://www.alighting.cn/news/2009311/V19020.htm2009/3/11 10:26:59

蓝色led和oled发明人谈未来照明的发展之路

3月4日,以led和oled将开创照明领域的未来为主题的照明研讨会于在东京的「lighting fair 2009」上召开了。蓝色led发明人、目前活跃在GaN发光组件研究第一

  https://www.alighting.cn/news/20090309/105506.htm2009/3/9 0:00:00

ito芯片在led中的应用

为了提高led芯片的出光效率,人们想了许多办法。比如,当前市场上出现了许多亮度较高的ito芯片的led,GaN基白光led中如果用ito替代ni/au作为p型电极芯片的亮度要比采

  https://www.alighting.cn/resource/20090224/128667.htm2009/2/24 0:00:00

东芝展出正在开发的近紫外led

高,达到了36%。发光波长为380nm。为了提高发光效率,抑制了GaN结晶的缺陷,提高了平坦

  https://www.alighting.cn/news/20090220/118717.htm2009/2/20 0:00:00

我在led方面进行的研究介绍

在led应用方面已经进行的研究包括: l 基于GaN基发光芯片的光提取效率问题; l 非成像光学理论在非点光源近似条件下光学系统的设计问题,采用边缘光线二维补偿设计方法,解

  http://blog.alighting.cn/qiankeyuan/archive/2009/2/19/9691.html2009/2/19 12:02:00

美国大厂cree与日本三菱化学签订GaN基板授权合约

日前led上游大厂美国cree表示,该公司已与三菱化学签订独家授权合约。根据双方协议,三菱化学将可制造、贩卖独立的氮化鎵(GaN)基板,并有权签订类似专利范围的再授权协

  https://www.alighting.cn/news/20090120/106630.htm2009/1/20 0:00:00

cree宣布与三菱化学签订GaN基板授权合约

议,mcc将可制造、贩卖独立的氮化镓(GaN)基板,并有权签订类似专利范围的再授权协议(similarly-scoped sublicense

  https://www.alighting.cn/news/20090116/117883.htm2009/1/16 0:00:00

photonstar和剑桥大学合作百万欧元的led项目

photonstar led公司和英国剑桥大学得到了政府技术战略委员会的资金,合作攻关名为“led lighting for the 21st century (ll21c)”的项

  https://www.alighting.cn/news/20090107/101147.htm2009/1/7 0:00:00

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