检索首页
阿拉丁已为您找到约 904条相关结果 (用时 0.2861815 秒)

2008北京奥运会场馆灯具供应商专利实力大盘点

及一种yag晶片式白光发光二极管及其封装方法。首先,它利用yag单晶片将GaN基无机半导体led晶粒发出的部分蓝光转换为另外一种或多种理想波段的光,然后led晶粒发出的剩余未被转

  http://blog.alighting.cn/AnneAngel/archive/2008/8/15/303.html2008/8/15 15:41:00

普瑞光电低能耗led芯片nlx-5上市

面向大批量、固态照明市场提供节能led技术的领先供应商普瑞光电股份有限公司(以下简称普瑞光电)2008年6月4日宣布,公司最新研制的nlx-5高功率氮化镓(GaN)led芯片已正

  https://www.alighting.cn/news/20080805/119029.htm2008/8/5 0:00:00

tae yeon seong:通过增强电流注入和传输来提高GaN基发光二极管性能

韩国高丽大学材料科学与工程系主任tae yeon seong 教授在题为《通过增强电流注入和传输来提高GaN基发光二极管性能》的报告中首先概括总结GaN基led的应用,然后详细介

  https://www.alighting.cn/news/20080801/104244.htm2008/8/1 0:00:00

GaN非极性/半极性led与激光二极管新进展

ucsb 的shuji nakamura教授在题为《非极性/半极性led和ld的发展现状》的报告中介绍了极性c面led和用ammonothermal方法生长GaN块等相关问题。

  https://www.alighting.cn/news/20080726/103963.htm2008/7/26 0:00:00

日本大厂同和电子开发出深紫外led芯片实现全球最高输出功率

近日,日本大厂同和电子(dowa electronics)宣佈,开发成功了发光波长为325~350nm的深紫外led芯片。比目前市售的紫外led发光波长短,实现了该波长范围全球最高

  https://www.alighting.cn/news/20080521/105650.htm2008/5/21 0:00:00

晶能光电(江西)有限公司「硅衬底发光二极体材料与器件」产业化专案一期工程竣工

近日,晶能光电(江西)有限公司「硅衬底发光二极体材料与器件」产业化专案一期工程竣工,2008年4月30日上午举行了竣工投产典礼。

  https://www.alighting.cn/news/20080509/106455.htm2008/5/9 0:00:00

led在道路照明的散热与配光应用(图)

近些年来,随着gap、GaN系ⅲ-v族化合物半导体的结晶成长工艺技术及纳米技术的进步,led的光效和大功率集成技术都有了很大的提高,led已经开始在照明领域里初步应用,出现了le

  https://www.alighting.cn/news/2008429/V15378.htm2008/4/29 13:25:44

led在道路照明的散热与配光应用(图)

近些年来,随着gap、GaN系ⅲ-v族化合物半导体的结晶成长工艺技术及纳米技术的进步,led的光效和大功率集成技术都有了很大的提高,led已经开始在照明领域里初步应用,出现了le

  https://www.alighting.cn/resource/2008429/V15378.htm2008/4/29 13:25:44

yole:2010年化合物半导体材料市场达10亿美元

根据法国市场调研机构yole dveloppement预测,2010年,全球化合物半导体材料市场将突破10亿美元大关。该机构指出,硅作为标准物质将继续主导半导体市场。

  https://www.alighting.cn/news/20080317/107358.htm2008/3/17 0:00:00

东京大学研发超大尺寸GaN led取得进展

东京大学生产技术研究所教授藤冈洋的研究组与神奈川科学技术研究院(kast)宣布,共同开发出了在柔性底板上形成由氮化镓(GaN)构成的led技术。由于制造方法采用的是易于支持大面

  https://www.alighting.cn/resource/20080229/128588.htm2008/2/29 0:00:00

首页 上一页 79 80 81 82 83 84 85 86 下一页