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生长led有机层的外延片工艺

ledinside发表知识库文章《生长led有机层的外延片工艺》

  https://www.alighting.cn/news/20080204/107389.htm2008/2/4 0:00:00

中国召开「半导体照明前沿关键技术培训研讨会」

1月24日,「半导体照明前沿关键技术培训研讨会」在中国科学院半导体研究所学术会议中心召开。会上,中科院物理研究所周均铭教授做了题为《制备超高亮度、大功率led外延片材料的生长技术》

  https://www.alighting.cn/news/20080130/107612.htm2008/1/30 0:00:00

晶电再订aixtron mocvd提高led产量

d showerhead)反应室和一套aix 2800g4 ht行星式反应室,这两款均是aixtron针对大尺寸GaN led制造的旗舰级设

  https://www.alighting.cn/news/2008125/V13848.htm2008/1/25 11:10:44

王军喜:白光led材料相关专利进展

1月24日,由中国半导体照明工程研发及产业联盟主办,由中科院半导体照明研发中心承办的“半导体照明前沿关键技术培训研讨会”在中国科学院半导体研究所学术会议中心胜利召开。

  https://www.alighting.cn/news/20080125/102994.htm2008/1/25 0:00:00

台厂晶电再添购aixtron公司的mocvd设备

近日,aixtron ag宣佈再次获得臺湾晶元光电的订单,包括两套大容量喷淋领头式气体喷嘴(close coupled showerhead)反应室和一套aix 2800g4 ht

  https://www.alighting.cn/news/20080125/107728.htm2008/1/25 0:00:00

晶电再订aixtron公司mocvd提高led产量

d showerhead)反应室和一套aix 2800g4 ht行星式反应室,这两款均是aixtron针对大尺寸GaN led制造的旗舰级设

  https://www.alighting.cn/news/20080125/117135.htm2008/1/25 0:00:00

日亚化学开发出488nm振荡波长的激光器

日亚化学开发出连续振荡时中心波长为488nm的蓝绿色半导体激光元件,08年3月开始样品供货。该产品在使用GaN系半导体激光元件并已投产的品种中,发光波长最长。

  https://www.alighting.cn/news/20080125/118964.htm2008/1/25 0:00:00

松下发布10000v崩溃电压下的GaN功率管

本周,电气和电子工程师协会(ieee)在美国华盛顿举行了国际电子元件大会(iedm),会上,来自日本大阪的松下集团发布了一款超高压氮化镓(GaN)功率晶体管,其崩溃电压超

  https://www.alighting.cn/news/20071218/118185.htm2007/12/18 0:00:00

高亮度led照明领域上的发展趋势(图)

随著led性能持续地提高,应用市场也随之急速扩大,隐藏在背后的原因是使用GaN、allngap发光材料的高辉度led。

  https://www.alighting.cn/news/20071211/V13119.htm2007/12/11 9:22:20

高亮度led照明领域上的发展趋势(图)

随著led性能持续地提高,应用市场也随之急速扩大,隐藏在背后的原因是使用GaN、allngap发光材料的高辉度led。

  https://www.alighting.cn/resource/20071211/V13119.htm2007/12/11 9:22:20

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