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半导体照明有望成为节能环保的优质光源

随着发光材料与发光技术的不断革新,半导体技术在照明领域掀起了一场新的革命——半导体照明。半导体(led)照明产品,尤其是氮化镓基(GaN)白光led照明光源体积小、重量轻、方向性

  https://www.alighting.cn/resource/20081119/128630.htm2008/11/19 0:00:00

led主要参数及电学、光学、热学特性

色gaasp为1.2v,gap为1.8v,GaN为2.5v。(2)正向工作区:电流if与外加电压呈指数关系if=is(eqvf/kt–

  http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/31/9242.html2008/10/31 17:45:00

led芯片的制造工艺流程

、技术集成度高的尖端光电子专用设备,主要用于GaN(氮化镓)系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造,也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。  led芯片的制

  http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9232.html2008/10/30 20:16:00

冼钰伦

对半导体照明有较系统的研究,研究内容主要包括GaN材料的mocvd外延生长技术,白光大功率led封装技术,led可靠性研究。另外还对led的光学配光设计有较丰富的经验。

  http://blog.alighting.cn/YulunXian/2008/10/20 15:55:24

led

种led是将GaN芯片和钇铝石榴石(yag)封装在一起做成。GaN芯片发蓝光(λp=465nm,wd=30nm),高温烧结制成的含ce3+的yag荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光射,峰

  http://blog.alighting.cn/xi1225/archive/2008/10/14/702.html2008/10/14 18:03:00

采用光子晶体结构GaN基led 光通量提高42%

阿尔卑斯电气开发出了采用光子晶体结构、将光通量提高了约42%的GaN类led,并在“alps show 2008”(2008年9月25~26日)上展出。发光波长为510.7n

  https://www.alighting.cn/news/20081006/119664.htm2008/10/6 0:00:00

光通量提高至约1.4倍的光子晶体GaN类led

阿尔卑斯电气开发出了采用光子晶体结构、将光通量提高了约42%的GaN类led,并在“alps show 2008”(2008年9月25~26日)上展出。发光波长为510.7n

  https://www.alighting.cn/resource/20081004/128618.htm2008/10/4 0:00:00

风云再起 日亚化学再次起诉首尔半导体

日亚化学工业与韩国首尔半导体在白色led等GaN类发光元件的官司之上又加上了新的纷争。

  https://www.alighting.cn/news/2008922/V17377.htm2008/9/22 11:00:08

led节能产业有大发展空间

d应用市场规模将达到540亿元。2007年12月我国mocvd总量80多台,其中生产型GaN mocvd有50多台、四元系mocvd10台左右。根据各产商投资计划,2008年我国预

  http://blog.alighting.cn/beyondlehao/archive/2008/9/17/534.html2008/9/17 10:33:00

2008宽禁带半导体暑期学校圆满结束

2008年7月31日至8月6日,由国家半导体照明工程研发及产业联盟、北京大学及国家自然科学基金委共同主办的“2008宽禁带半导体物理与器件暑期学校”在美丽的海滨城市—大连举行。

  https://www.alighting.cn/news/20080825/105086.htm2008/8/25 0:00:00

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