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底的GaN芯片制备；GaN、lialo2、zno、aln等新型衬底的外延和芯片技术；功率型GaN基芯片制造；高效率大功率led封装技术；100lm/w以上功率led封装用有机硅材
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21633.html2009/12/15 16:48:00
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21634.html2009/12/15 16:48:00
s和znse等材料,当它被加上正向电压时,电子和空穴的复合过程中产生的过剩的能量就会以光能辐射出来。近年来尤其是20世纪90年代初，日本研究者中村修二成功研制出掺mg的同质结GaN蓝光le
http://blog.alighting.cn/LVDEXPERT/archive/2009/11/30/20545.html2009/11/30 11:20:00
日本丰田合成公司在3英寸的蓝宝石底板上形成了非极性面(m面)GaN结晶，成功采用该结晶实现了led的发光。
https://www.alighting.cn/news/2009118/V21611.htm2009/11/8 15:51:41
led技术：阿拉丁照明网资料频道提供全面的led技术资料免费下载。本文推荐的led技术资料是《GaN基发光二极管合成照明光源的开发研究》。 摘要：GaN基发光二极管合成照
https://www.alighting.cn/resource/2009116/V993.htm2009/11/6 14:25:58
增收入gaas芯片3.36亿元、GaN芯片6.72亿元,合计10.08亿元。按照销售净利率20%计算,可贡献净利润约2亿
https://www.alighting.cn/news/20091028/121329.htm2009/10/28 0:00:00
近几年人们制造led晶粒/芯片过程中首先在衬底上制作氮化镓（GaN）基的晶圆(外延片)，晶圆所需的材料源(碳化硅sic)和各种高纯的气体如氢气h2或氩气ar等惰性气体作为载体之
https://www.alighting.cn/news/20091014/V21194.htm2009/10/14 21:04:09
近日，美国iqe公司宣布收购英国一家专门研制GaN技术的nanoGaN公司。
https://www.alighting.cn/news/20091012/106929.htm2009/10/12 0:00:00
对nanoGaN的收购将帮助iqe加快先进的蓝光/绿光半导体激光器和固态照明产品的上市步伐。
https://www.alighting.cn/news/20091010/116607.htm2009/10/10 0:00:00
发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led的发展，本文主要介绍了提高GaN基led外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射层(db
https://www.alighting.cn/resource/2009914/V937.htm2009/9/14 15:26:35
