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p）的研发项目里，imec与其合作伙伴共同开发了在200毫米硅晶片上生长GaN/alGaN的技术。借助这项新技术，GaN mishemts（ metal-insulato
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/6/4/188291.html2011/6/4 14:34:00
上海蓝光日前提出一种新型无掩膜侧向外延技术，可在蓝宝石衬底上生长位错密度更低的GaN薄膜，在蓝宝石衬底表面原位形成高密度的纳米坑，衬底和GaN之间粗糙的界面极大地提高led光提
https://www.alighting.cn/news/20110601/115404.htm2011/6/1 10:13:21
据日媒报道，日本东北大学与罗姆将zno（氧化锌）类紫外led的发光强度提高到了100μw，为原来产品的1万倍。这一发光强度是inGaN与GaN类紫外led的约110倍。
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/27/180479.html2011/5/27 22:40:00
道，维持向上格局。ims research的预估，2011年GaN led出货量将达620亿颗，总产值则由2010年的80亿美元跃升至108亿美元，首次突破百亿大关。 led
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/27/180478.html2011/5/27 22:35:00
据日媒报道，日本东北大学与罗姆将zno(氧化锌)类紫外led的发光强度提高到了100μw，为原来产品的1万倍。这一发光强度是inGaN与GaN类紫外led的约110倍。东北大学原
https://www.alighting.cn/news/20110526/100302.htm2011/5/26 9:42:28
l)的。90年代中期的技术突破实现了第一个基于GaN的实用led。现在还有许多公司在用不同的基底如蓝宝石和sic生产GaN led，这些led能够发出绿光、蓝光或紫罗兰等颜色。高亮蓝
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179868.html2011/5/20 0:30:00
韩国—GaN半导体开发计划 欧洲—彩虹计划 中国—国家半导体照明工程 由于led的光源特性、特殊的产品设计以及高效率驱动电路,而且在光学设计方面,led是单向
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/17/179091.html2011/5/17 16:25:00
led的发光顏色和发光效率与制作led的材料和工艺有关，目前广泛使用的有红、绿、蓝三种。由于led工作电压低（仅1.5-3v），能主动发光且有一定亮度，亮度又能用电压（或电流）调节
https://www.alighting.cn/resource/20110512/127633.htm2011/5/12 10:45:04
《非极性和半极性面氮化物材料和器件生长》内容：lain-aiGaN-GaN,研究动机,材料的生长和表征;GaN-inGaN材料,研究动机,材料的生长和表征,在沟槽GaN模板层上生
https://www.alighting.cn/resource/2011/5/6/182815_98.htm2011/5/6 18:28:15
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和sic，si）上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30
