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出量，所以，有逐渐朝向在芯片表面建立texture或photonics结晶的架构。例如德国的osram就是以这样的架构开发出「thin GaN」高亮度led，osram是在inga
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230316.html2011/7/20 0:05:00
产300亿只的能力，实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产，年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯，突破GaN材料的关键技术，实现蓝、绿、白的led的中批量生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230306.html2011/7/19 23:56:00
“thin GaN”高亮度led。原理是在inGaN层上形成金属膜，之后再剥离蓝宝石，这样，金属膜就会产生映像的效果而获得更多的光线取出，根据osram的资料显示，这样的结构可以获得75
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230298.html2011/7/19 23:50:00
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230169.html2011/7/19 0:23:00
laytec于11月前推出最新的产品pyro 400。传统的红外高温测量法只能监测到蓝宝石或sic晶片下面的基座表面温度,与之不同的是,pyro 400是一种真正能精确测量GaN
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230115.html2011/7/18 23:52:00
一、前言GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与sic、金刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代ge、si半导
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230091.html2011/7/18 23:39:00
3)?;硅 (si)碳化硅(sic)[/url]蓝宝石衬底通常,GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先,蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00
镓铝砷(gaalas)或砷化镓(gaas)、氮化镓(GaN)等材料组成,其内部结构具有单向导电性。3)、晶片的结构：焊单线正极性(p/n结构)晶片,双线晶片。晶片的尺寸单位：mi
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230084.html2011/7/18 23:24:00
/ GaN 双异质结,inGaN 活化簿层仅几十nm ,对静电的承受能力很小,极易被静电击穿,使器件失效。因此,在产业化生产中,静电的防范是否得当,直接影响到产品的成品率和经济效
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229964.html2011/7/17 23:38:00
同,目前hb led较常使用的两种化合材料是algainp及GaN/inGaN,前者用来产生高亮度的橘红、橙、黄、绿光,后者GaN用来产生绿、翠绿、蓝光,以及用inGaN产生近紫外
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