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晶元ingan基led Chip：es-ceblv10f【pdf】文档下载。
https://www.alighting.cn/resource/20110315/127885.htm2011/3/15 12:02:21
提高led亮度的方法大致上可分为两种，分别是增加芯片(Chip)本身的发光量;另一种方法是有效利用芯片产生的光线，增加光线照射至预期方向的照射量。
https://www.alighting.cn/resource/20110312/127894.htm2011/3/12 17:30:29
路板的话， led 温度上升的结果发光效率会急遽下跌，因此松下电工开发印刷电路板与封装一体化技术，该公司将 1mm 正方的蓝光 led 以 flip Chip 方式封装在陶瓷基
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134148.html2011/2/20 23:07:00
能参数有最大输出电流、恒流源输出路数、电流输出误差(bit to bit，Chip to Chip)和数据移位时钟等。 1) 最大输出电流 目前主流的恒流源芯片最大输出电流多定
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133837.html2011/2/19 23:22:00
需经过芯片(Chip)本身的半导体介质和封装介质才能抵达外界(空
https://www.alighting.cn/resource/20110114/128083.htm2011/1/14 14:54:46
升的结果仍然会使发光效率急剧下跌。因此，松下电工开发印刷电路板与封装一体化技术，该公司将1mm正方的蓝光led以flip Chip方式封装在陶瓷基板上，接着再将陶瓷基板粘贴在铜质印
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126777.html2011/1/9 21:16:00
益严苛的热管理考验。為降低led热阻，其散热必须由晶片层级(Chip level)、封装层级(package level)、散热基板层级(board level)到系统层
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126775.html2011/1/9 21:14:00
上舞台，倒装焊覆晶(flip Chip)制程与单电极垂直制程的发光二极管于是取代传统的制程成为led发光二级管的主流，大功率芯片外延的结构与传统的发光二极管结构相同，但芯片制作工艺
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
弯的问题无法以封装的设计（如覆晶或flip Chip）改善，将电流截弯取直才是正道，必须将电极置于led芯片的两侧。电流平顺就可以明显提升led的亮度。除此之外，相同亮度的顺流le
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126774.html2011/1/9 21:13:00
合）在led芯片支架上，与led成为一个整体。 b. led芯片（Chip）理论上发光是360度，但实际上芯片在放置于led支架上得以固定及封装，所以芯片最大发光角度是180度（大
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126767.html2011/1/9 21:06:00
