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高亮度led市场规模2010年及2011年分别将为82.5亿美元、126亿美元，年增率达50%以上。主要原因为韩国、台湾、大陆led Chip业者mocvd机台大举扩张下，将带
https://www.alighting.cn/news/20110105/93024.htm2011/1/5 10:43:01
0%。 银胶的使用：冷藏，使用前需解冻并充分搅拌均匀，因银胶放置长时间后，银粉会沉淀，如不搅拌均匀将会影响银胶的使用性能。 三、晶片（Chip）： 发光二极管和led芯片的结
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120887.html2010/12/14 21:52:00
1、倒装（flip Chip） 1998年lumileds公司封装出世界上第一个大功率led（1w luxoen器件），使led器件从以前的指示灯应用变成可以替代传统照明的新
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
过芯片（Chip）本身的半导体介质和封装介质才能抵达外界（空气）。综合电流注入效率、辐射发光量子效率、芯片外部光取出效率等，最终大概只有30-40％的输入电能转化为光能，其余60
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120869.html2010/12/14 21:47:00
占5-10%。银胶的使用：冷藏，使用前需解冻并充分搅拌均匀，因银胶放置长时间后，银粉会沉淀，如不搅拌均匀将会影响银胶的使用性能。三、晶片（Chip）： 发光二极管和led芯片的结
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120871.html2010/12/14 21:47:00
屏等。专用芯片的关键性能参数有最大输出电流、恒流源输出路数、电流输出误差(bit to bit，Chip to Chip)和数据移位时钟等。 1) 最大输出电流 目前主流的恒流
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120565.html2010/12/13 23:09:00
r temperature of led Chip; (2) the increase of the current causes more leakage current.ke
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120562.html2010/12/13 23:08:00
将sic基板的端面倾斜放置，接着制作凹凸状电极，藉此改变光线的入射角，达到抑制光线反射的效果，该公司计划未来将组件上下反转进行flip Chip连接，同时在发光层设置mirror使光
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120563.html2010/12/13 23:08:00
長範圍則可涵蓋580~630 nm。尺寸則有以下幾種:● 9 mil algainp wafer bonding led Chip● 12 mil algainp wafe
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120560.html2010/12/13 23:07:00
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120510.html2010/12/13 22:47:00
