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运用第一性原理平面波赝势和广义梯度近似方法，对纤锌矿结构和氯化钠结构GaN的状态方程及其在高压下的相变进行计算研究，分析相变点附近的电子态密度、能带结构和光学性质的变化机制.
https://www.alighting.cn/resource/20150305/123531.htm2015/3/5 9:53:05
研究了低能电子束辐照(leebi)对大功率GaN 基蓝光led 性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射，对蓝光led 进行leebi，并对比未辐照的led，研究其电
https://www.alighting.cn/2014/10/20 11:16:19
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能，其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.
https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36
对GaN基白光二极管(led)分别施加-1600、-1200、-800、-400、400、800、1200和1600v静电打击，每次静电打击后，测量led电学参数和光学参数的变化。
https://www.alighting.cn/2015/2/13 11:12:42
2007年5月24日，台湾光鋐科技(epileds)订下两台thomas swan(aixtron子公司)ccs crius 30x2英寸mocvd订单，用于量产高亮(hb)ga
https://www.alighting.cn/news/20070525/119895.htm2007/5/25 0:00:00
阿尔卑斯电气开发出了采用光子晶体结构、将光通量提高了约42％的GaN类led，并在“alps show 2008”（2008年9月25～26日）上展出。发光波长为510.7n
https://www.alighting.cn/news/20081006/119664.htm2008/10/6 0:00:00
2007年3月2日，松下(panasonic)宣布开发出使用GaN衬底的蓝光led芯片，其在350ma下的总辐射通量为355mw，外量子效率达38%。芯片样品的供应开始于三月
https://www.alighting.cn/news/20070306/119681.htm2007/3/6 0:00:00
GaN是优越的iii-v族直接带隙半导体材料，是iii-v族家族中最引人注目的半导体材料之一，其在光电领域有着极为重要的应用，已经引起了广泛的研究。GaNg基光电子器件的制备和工
https://www.alighting.cn/2013/2/1 10:26:05
对前期工作中使用crosslight apsys软件模拟的6种优化电极的GaN基inGaN/GaN多量子阱蓝光led芯片进行试制并测试分析,将实验结果与软件模拟结果进行比较,并进
https://www.alighting.cn/2011/12/6 16:52:22
瑞士半导体光源开发商exalos公司已经成功测试氮化镓(GaN)超辐射发光二极管(sled)的寿命，在特定测试条件下，sled寿命预计能达到5000小时以上。exalos公司表
https://www.alighting.cn/news/20160218/137029.htm2016/2/18 10:09:47
