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中国国家半导体照明工程研发及产业联盟(csa)日前对外表示，中国的led市场将继续扩大，到2010年预计市值达到320亿元。而GaN类led的供货量到2010年可望超越日本，达
https://www.alighting.cn/news/20071204/106417.htm2007/12/4 0:00:00
本文主要利用x射线衍射和透射电子显微镜技术对蓝宝石衬底上生长的GaN基led外延片的微结构进行了研究,主要研究工作为: 1.采用x射线衍射绝对测量法精确测量了GaN薄膜的晶格参
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127130.htm2011/9/16 15:30:52
采用激光诱导掺杂的方法对GaN进行p型掺杂。在GaN样品上溅射上一层zn，利用脉冲激光辐照样品，使得zn掺入GaN中，得到高浓度的p型掺杂。利用电化学c-v法对样品进行测试，得
https://www.alighting.cn/resource/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31
https://www.alighting.cn/news/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31
ucsb 的shuji nakamura教授在题为《非极性/半极性led和ld的发展现状》的报告中介绍了极性c面led和用ammonothermal方法生长GaN块等相关问题。
https://www.alighting.cn/news/20080726/103963.htm2008/7/26 0:00:00
尽管随着对GaN材料发光机理的深入研究，GaN基发光二级光工艺制备关键技术取得重大突破、器件特性得到迅速提高，但蓝宝石衬底带来的问题有待进一步研究。
https://www.alighting.cn/resource/20150206/123616.htm2015/2/6 11:44:00
本论文主要围绕提高g8n基led的光提取效率之激光剥离技术以及基于激光剥离技术的垂直型GaN基l即器件的制备进行研究。通过激光剥离并结合晶体键合技术，成功地将GaN薄膜从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:42:17
通过研究蓝宝石衬底分子束外延(mbe)生长GaN薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底mbe生长GaN薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127403.htm2011/7/22 14:04:45
三菱化学试制出了尺寸约为长20mm×宽12mm的大尺寸m面GaN底板。
https://www.alighting.cn/resource/20070920/128532.htm2007/9/20 0:00:00
附件为《硅衬底GaN基垂直结构高效led的最新进展》pdf，欢迎大家下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/20150626/130459.htm2015/6/26 10:43:40
